在全球科技竞赛的赛道上，半导体行业一直是各国争夺的焦点。近日，来自华中科技大学的消息引起了业界的广泛关注：该校与湖北九峰山实验室组成的联合研究团队在光刻胶技术上取得了重大突破。这一成就不仅标志着中国在纳米级半导体制造领域迈出了坚实的一步，也为全球半导体行业的发展注入了新的活力。
光刻胶作为半导体制造的关键材料，其性能直接影响到集成电路的电性能、成品率及可靠性。然而，随着半导体制造技术的进步，传统的光刻胶技术已经难以满足日益严苛的制程要求。尤其是在100纳米乃至10纳米以下的制造节点，如何实现高分辨率、低线边缘粗糙度的光刻图形成为了行业的共性难题。
华中科技大学的研究团队通过创新的化学结构设计，成功研发出“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。�
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